Der neue Fast-Body-Dioden-MOSFET von Vishay bietet den niedrigsten RDS(ON)

Das N-Kanal-Gerät ermöglicht eine hohe Leistungsdichte und senkt gleichzeitig die Leitungs- und Schaltverluste, um die Effizienz zu steigern

MALVERN, Pennsylvania – Vishay Intertechnology, Inc. hat einen neuen schnellen Body-Dioden-MOSFET der 600-V-EF-Serie der vierten Generation im flachen PowerPAK 10 x 12-Gehäuse vorgestellt. Der n-Kanal SiHK045N60EF von Vishay Siliconix bietet eine hohe Effizienz und Leistungsdichte für Telekommunikations-, Industrie- und Computeranwendungen. Er reduziert den Einschaltwiderstand um 29 % im Vergleich zu Geräten der vorherigen Generation und liefert gleichzeitig eine um 60 % geringere Gate-Ladung. Dies führt zu den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstands- und Gate-Ladungszeiten für Geräte derselben Klasse, einem Key Figure of Merit (FOM) für 600-V-MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsanwendungen verwendet werden.

Vishay bietet eine breite Palette an MOSFET-Technologien, die alle Phasen des Stromumwandlungsprozesses unterstützen, von Hochspannungseingängen bis hin zu Niederspannungsausgängen, die für die Stromversorgung modernster High-Tech-Geräte erforderlich sind. Mit dem SiHK045N60EF und anderen Geräten der 600-V-EF-Serienfamilie der vierten Generation geht das Unternehmen auf den Bedarf an Effizienz- und Leistungsdichteverbesserungen in zwei der ersten Phasen der Stromversorgungssystemarchitektur ein – der brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC). ) und nachfolgende DC/DC-Wandlerblöcke. Zu den typischen Anwendungen gehören Edge-Computing und Datenspeicherung; UPS; Hochdruckentladungslampen (HID) und Leuchtstofflampen mit Vorschaltgeräten; Solarwechselrichter; Schweißgeräte; Induktionsheizung; Motorantriebe; und Batterieladegeräte.

Basierend auf der neuesten energieeffizienten Superjunction-Technologie der E-Serie von Vishay ist der niedrige typische Einschaltwiderstand des SiHK045N60EF von 0,045 Ω bei 10 V um 27 % niedriger als bei Geräten im PowerPAK 8 x 8-Gehäuse. Das Ergebnis ist eine höhere Nennleistung für Anwendungen ≥ 3 kW, während das niedrige 2,3-mm-Profil des Geräts die Leistungsdichte erhöht. Darüber hinaus bietet der MOSFET eine extrem niedrige Gate-Ladung bis zu 70 nC. Der resultierende FOM von 3,15 Ω*nC ist 2,27 % niedriger als der nächstkonkurrierende MOSFET derselben Klasse, was sich in geringeren Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt, um Energie zu sparen und die Effizienz zu steigern. Dadurch kann das Gerät die spezifischen Titan-Effizienzanforderungen in Server-Netzteilen erfüllen oder einen Spitzenwirkungsgrad von 98 % in Telekommunikations-Netzteilen erreichen.

Für eine verbesserte Schaltleistung in Nullspannungsschalttopologien (ZVS) wie LLC-Resonanzwandlern bietet der SiHK045N60EF niedrige effektive Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 171 pf bzw. 1069 pF. Der Co(tr) des Geräts ist 8,79 % niedriger als der des nächstkonkurrierenden MOSFET derselben Klasse, während seine schnelle Body-Diode einen niedrigen Qrr von 0,8 μC für erhöhte Zuverlässigkeit in Brückentopologien bietet. Darüber hinaus bietet das PowerPAK 10 x 12-Gehäuse des MOSFET mit einem maximalen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,45 °C/W die beste thermische Belastbarkeit aller oberflächenmontierten Gehäuse. Im Vergleich zu Geräten im PowerPAK 8 x 8 bietet der SiHK045N60EF eine um 31 % geringere thermische Impedanz.

Der herausgegebene MOSFET ist so konzipiert, dass er Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten durch 100 % UIS-Tests standhält. Er ist RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Green.

Muster und Produktionsstückzahlen des SiHK045N60EF sind ab sofort verfügbar. Informationen zur Lieferzeit können Sie bei Ihrem Vishay-Vertriebskontakt anfordern.