Leistungs-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)

Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) von Renesas helfen Entwicklern dabei, sowohl eine niedrige Sättigungsspannung als auch schnelles Schalten durch Dünnwafer-Technologie zu realisieren. Sie tragen wiederum dazu bei, Leistungsverluste in Stromumwandlungssystemen zu minimieren. Diese Produktserie eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen und umfasst IGBTs für Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Induktionsheizung (IH).

Renesas bietet eine Reihe von Produkten mit unterschiedlichen Spannungstoleranzen und Designtopologien an, die für verschiedene Anwendungen geeignet sind, darunter 650-V- oder 1250-V-Produkte für USV- oder Industriewechselrichter, 1800-V-IGBTs für die Windkrafterzeugung oder Solarwechselrichteranwendungen sowie 650-V-Produkte für Klimaanlagen oder Induktionsheizungen.

Erfahren Sie mehr über Designtopologien

Die IGBT-Produktserie für Wechselrichter wird für Frequenzen von 1k ~ 50kHz empfohlen und ist ideal für universelle Stromversorgungen (USV), Motorsteuerung, Solarstromerzeugung und Schweißanwendungen.

Leistungs-IGBTs für Wechselrichter

Die IGBT-Geräte von Renesas zur Leistungsfaktorkorrektur werden für Frequenzen von 50 Hz bis 100 kHz empfohlen und eignen sich ideal für USV-, Solarstromerzeugungs- und Schweißanwendungen.

Leistungs-IGBTs für PFC

Renesas IGBTs bieten sanftes Schalten für Induktionsheizgeräte (IH) und werden für Frequenzen von 10.000 bis 100 kHz empfohlen.

Leistungs-IGBTs für IH